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电源完整性分析参考解决方案
在设计和调试需要高电源完整性的配电网络时,请考虑此解决方案。有两个版本可供选择,每个版本基于 1 GHz 或 4 GHz 示波器构建,灵活地满足您的技术要求和预算。
넶4 2024-07-16 -
验证电源管理 IC
提高电源管理设备的性能
可以使用电源管理设备(包括电源管理 IC、电源管理单元、电池管理单元和 DC-DC 转换器)来设计各种定制应用,以用于电动汽车、智能家居和设备、电机控制、断电保护设备等应用。设计工程师继续研究其设备如何在宽电压范围和环境工作条件下提高能效。넶5 2024-07-15 -
I-V 检定
测试宽禁带半导体
内在变量 (IV) 的检定对于开发宽禁带半导体至关重要。与传统材料相比,这些半导体具有优异的电气特性,在功率电子产品等方面有着广阔的应用前景。了解这些材料的 I-V 特性将有助于它们的优化利用和发展。넶5 2024-07-15 -
I-V特性
测试宽带隙半导体。表征本征变量(IV)是开发宽带隙半导体的关键。与传统材料相比,这些半导体具有优越的电性能,在电力电子领域具有广泛的潜在应用。了解这些材料的I-V特性将有助于它们的最佳使用和开发。
넶48 2023-07-13 -
验证宽禁带设备
SiC和GaN引入了新的测试挑战。碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)的使用越来越多,以提高数据中心的功率效率,加快电动汽车充电时间和电动汽车动力系统效率,并改善功率转换,这需要新的验证测试方法和对设备性能的更好理解。了解如何进行正确的测量和使用正确的测量仪器是您的电源转换设计更快上市的关键。
넶89 2023-07-12 -
双脉冲测试
测量开关参数的标准方法。最小化开关损耗仍然是SiC和GaN器件的功率器件工程师面临的主要挑战。测量开关参数和评估Si、SiC和GaN mosfet和igbt动态行为的标准测试方法是双脉冲测试(DPT)。双脉冲测试可用于测量器件导通和关断过程中的能量损失,以及反向恢复参数。
넶127 2023-07-12