SP26H系列半导体参数分析仪

⾼压I‐V源测量单元

⾼流I‐V源测量单元

电压电容C‐V测量单元

Ø       精度0.1%

Ø       精度0.1%

Ø       基本精度0.5%

Ø       最⼤电压1200V，

Ø       直流、脉冲⼯作模式

Ø       测试频率

最⼤直流100mA

Ø       最⼩脉宽80μs

10HZ~3MHz，可

Ø       最⼩电流分辨率

Ø       四象限⼯作区间

选配⾄10MHz

100pA

Ø       最⼤电压100V，最⼤

Ø       ⽀持⾼压DC偏置，

Ø       ⽀持⼆线、四线制

直流30A，最⼤脉冲

最⼤偏置电压

测试模式

电流100A

1200V

Ø       ⽀持GUARD保护

Ø       ⽀持⼆线、四线制测

Ø       多功能AC性能测

试模式

试，C‐V、C‐f、C‐t

Ø       最⼩电流分辨率10pA

Ø       ⽀持GUARD保护

器件类型

测试参数

二极管

VBR、IR、VF、IF、Cd、I-V曲线、C-V曲线

等

光电探测器 PD

、APD、SPAD

ID、Ct、VBR、响应度R

三极管

V(BR)CEO、V(BR)CBO、V(BR)EBO、ICBO

、IEBO、ICES、VCE(sat)、VBE(sat)、hFE

、Cob、输入特性曲线、输出特性曲线、C-V

特性曲线

Si/SiC MOSFET GaN HEMT

V(BR)DSS、VGS(th)、IDSS、IGSS、

RDS(on)、VSD、Ciss、Coss、Crss、Rg、 gfs转移特性曲线、输出特性曲线、C-V特性

曲线

IGBT

V(BR)CES、VCE(sat)、VF、VGE(th)、ICES

、IGES、gfs、Cies、Coes、Cres、转移特

性曲线、输出特性曲线、C-V特性曲线

电 容

IR、C、VBR

光 耦

IF、VF、IR、VR、V(BR)CEO、VCE(sat)、 ICEO、CT、CCE、CIO、VISO、CTR、输入

特性曲线、输出特性曲线、C-V特性曲线

材 料

表面电阻率、方块电阻率、霍尔效应（载流子

迁移率、载流子浓度、体电阻率）

太阳能电池

VOC、ISC、Pmax、Vmax、Imax、填充因

子FF、转换效率η、Rs、Rsh

项目

测量频率

规格

10Hz-3MHz

测量频率分辨率

六位数

频率输出精准度

±0.01%

基本精确度

±0.05%

测试信号电压范

围

10mV-2Vrms

电压最小分辨率

1mV

准确度

ALC OFF：10% * 设定电压：±2mV 、ALC

ON：6% * 设定电压：±2mV

测试信号电流范

围

200μA-20mArms

电流最小分辨率

10μA

准确度

ALC OFF：10% * 设定电流：±20μA、ALC

ON：6% * 设定电压：±20μA

DC测试信号位

准

1V(固定)

输出阻抗

25Ω、100Ω (可切换)

测量参数

|Z|(阻抗)、|Y|(导纳)、θ(相位角)、X(电抗)、  R(串并联电阻)、G(电导)、B(电纳)、L(电感)、 D(损耗因数)、Q(品质因数)、DCR(直流电阻) C(电容)、 Vdc-Idc(直流电压电流)、ESR(等效串联电阻)、ε (相对介电系数)、μr (相对导磁

系数)