I-V特性

测试宽带隙半导体

表征本征变量(IV)是开发宽带隙半导体的关键。与传统材料相比，这些半导体具有优越的电性能，在电力电子领域具有广泛的潜在应用。了解这些材料的I-V特性将有助于它们的最佳使用和开发。

安全和可持续地创造更高效的设计

SiC和GaN是如何改变行业的

SiC和GaN被广泛应用于电力电子、高频电子、led、航空航天和国防等领域。它们使这些领域发展出更高效、更先进的技术，推动着创新和进步。

5G、汽车和能源系统对碳化硅和氮化镓的需求正在上升

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新型高功率半导体器件将仪器仪表推向极致

脉冲I-V特性

脉冲I-V是测量半导体和器件电性能的一种有用的技术。通过施加短电压脉冲，我们可以分析器件的电阻、电容和其他性能指标。这项技术对半导体行业的设备工程师、研究人员和设计人员开发先进高效的电子产品很有价值。

电路图显示用于MOSFET I-V特性的双通道SMU。

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使用Keithley KickStart软件对mosfet进行脉冲I-V特性

高效直流测试和电流-电压表征的技巧和技术

评估击穿电压以确保可靠性

击穿电压的测试通常包括使器件承受不断增加的电压水平，直到其电气绝缘性能发生击穿。击穿电压可以使用专门的测试设备和程序来测量，并且可能取决于各种因素，例如材料的特性，其厚度和器件的几何形状。

击穿电压测试是保证电气和电子设备可靠性和性能的重要步骤。

反向击穿电压测试使用Keithley KickStart软件和2470 High voltage SourceMeter®源测量单元(SMU)。

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2470高压半导体器件的击穿和泄漏电流测量

探索和测量曲线族

曲线族是工程中的一个基本概念，在复杂系统的设计和分析中起着至关重要的作用。这些曲线是一组图形解，它们具有相似的特征和参数之间的函数关系。工程师使用这些曲线来了解系统在不同条件下的行为，如负载、应力、温度和压力。他们还利用它们通过选择最佳设计参数来优化工业过程的性能。从电气工程到机械工程，曲线族是帮助工程师做出明智决策和创建高效解决方案的不可或缺的工具。

4200A-SCS参数分析仪测量I-V曲线。

轻松测量 MOSFET 的开关和放大电路

MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）是现代工程设计中最常用的电子元件之一。MOSFET 具有高效率和多功能性，可实现更小、更高效的电路，这对现代电子产品至关重要，从而彻底改变了电子工程。虽然它们在当今的电子产品中已变得至关重要，但准确测量 MOSFET 也至关重要。测量 MOSFET 通常涉及确定其电气特性，例如电阻、电容和电流-电压 (IV) 曲线。工程师使用各种技术和仪器来测量 MOSFET 的性能，这使他们能够优化电路设计并确保可靠运行。

4200A-SCS 参数分析仪显示 MOSFET 阈值电压。

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