检定宽禁带设备

让您的功率半导体器件更快地推向市场

汽车电气化和射频通信中的苛刻应用需要宽带隙半导体技术，如SiC和GaN，以及传统硅的持续使用。与硅相比，SiC和GaN提供更高的电压工作频率，更高的温度和更低的功率损耗。了解SiC和GaN的电气性能将有助于为其在许多新兴电源应用中的使用提供强大的价值主张。让您的功率半导体器件更快进入市场，同时最大限度地减少现场设备故障。

宽禁带半导体的I-V特性测量

I-V特性

I-V表征是理解硅、碳化硅和氮化镓基本特性的电流与电压关系的基本方法。使用smu或参数分析仪等仪器和适当的软件，生成I-V图形曲线，用于显示流过电子设备或电路的电流与其终端上施加的电压之间的关系。最常见的一组I-V曲线是曲线族。

基本晶体管曲线族。

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利用KickStart软件研究MOSFET器件的直流I-V特性

I-V特性

跨宽功率信封测试

表征SiC或GaN晶圆和封装部件级器件的电气性能需要学习新技术，例如使用更高功率的仪器，处理探测和进行低电平测量的挑战，例如在高击穿电压存在下的皮安级泄漏电流。对于宽带隙半导体，更常见的是高达3000 V的电压和高达100 A的电流。同样重要的是优化测试系统，以减少为进行on状态、off状态和电容测量而更改设置所需的时间。

典型的on状态测量设置。

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解决晶圆上功率半导体器件测试中的连接挑战

电力半器件击穿试验

器件的off状态击穿电压决定了可以施加到器件上的最大电压。电源管理产品设计人员感兴趣的主要耐受电压是MOSFET的漏极和源极之间或IGBT的集电极和发射极之间的击穿电压。对于MOSFET，栅极要么被短路，要么被强制进入“硬”关断状态，例如通过对n型器件施加负电压或对p型器件施加正电压。这是一个非常简单的测试，可以使用一个或两个源测量单元(SMU)仪器进行。

测试SiC器件的高压。

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高压半导体器件的击穿和漏电流测量

连接仪器到探头和测试装置

将大功率仪器连接到探测站和测试夹具可能是一项复杂的任务。连接不当往往会导致测量误差。8020高功率接口面板在基思利smu和各种半导体探针站或定制测试夹具之间提供了高度精确，灵活且易于使用的接口。接口面板有6个测量通路，可容纳3kv, 200v和100a测量。您可以配置5个路径，其中有各种输出连接器类型，以匹配您的探针站。您可以使用可选的偏置三通配置四条通路。这提供了高压C-V测量在测试设备的四个引脚。

Keithley 8020大功率接口面板。

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8020大功率接口面板用户手册

进行高功率测试时安全第一

在对宽禁带半导体进行高功率测试时，安全应始终是您考虑的首要问题。为实验室设计一个安全且兼容的测试夹具并非易事。8010大功率器件测试夹具为测试高达3000v和100a的各种封装器件类型提供了安全，低噪音，完整的环境。可更换的插座模块测试板允许各种封装类型，包括用户提供的插座类型。

8010大功率设备测试夹具能够安全，方便地连接测试高达3kv或100a的大功率设备。

自动功率排序的I-V表征

省去了使用Keithley的自动化特性套件(ACS)软件编写测试程序的麻烦。ACS是一种灵活的交互式软件测试环境，专为设备特性、参数测试、可靠性测试甚至简单的功能测试而设计。ACS支持广泛的基思利仪器和系统、硬件配置和测试设置。使用ACS，用户可以使用自动化硬件管理工具配置他们的仪器，并且无需编程知识即可快速执行测试。

功率测序用于GaN HEMT I-V表征。

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GaN HEMT表征的功率序列

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