验证宽禁带设备

SiC和GaN引入了新的测试挑战

碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)的使用越来越多，以提高数据中心的功率效率，加快电动汽车充电时间和电动汽车动力系统效率，并改善功率转换，这需要新的验证测试方法和对设备性能的更好理解。了解如何进行正确的测量和使用正确的测量仪器是您的电源转换设计更快上市的关键。

可重复的材料科学测量技术

克服高共模电压

浮动差分测量(如高侧Vgs)很难或不可能由于高频(快速打开和关闭)和高共模电压(如Vds)的存在，因为示波器探头在高带宽下没有足够的共模抑制。较差的共模抑制导致测量被共模误差控制，而不是实际的差分信号。这些问题可以使用泰克的IsoVu隔离探头轻松解决，该探头在GaN和SiC器件的工作要求下不会随频率降低，从而可以进行准确的差分测量。使用IsoVu，您可以精确地计算和证明传导损耗，死区损耗和开关损耗。

使用IsoVu克服常见的测量误差来源。

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案例研究：松下转向IsoVu技术，缩短开发时间

精确测量高速氮化镓晶体管

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同时测量多个控制和定时信号

在评估基于SiC或GaN技术的开关频率更快的新型功率转换器时，除了处理转换器的控制和定时电路外，您还将面临同时监控多个信号的挑战。例如，您将测量高侧Vgs，低侧Vgs，高侧Vds，低侧Vgs, Id, IL和ilload以及控制信号。可能还需要在高压信号存在的情况下测量低压信号(Vgs)。具有高通道数和高垂直分辨率的示波器可以解决您的问题。

测量点的时间和控制信号。

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用8通道示波器验证电源排序

更快的自动化功率测量

为了在高频SiC和GaN器件上进行精确、可重复的开关和导通损耗测量，需要高分辨率、多次采集平均和复杂的波形数学。即使是电能质量、谐波、安全操作区域和开关损耗等测量，也需要在测量过程中实现一定程度的自动化，以获得所需的所有信息。泰克5系列MSO示波器具有5- pwr选项和探测解决方案，可在设计开发和调试期间提供所需的自动测量功能。

开关损耗表示场效应管的功率损耗。波形用颜色编码标记进行注释，显示Ton、Toff和Total cycle的测量区域，对应于结果标记中的值。结果标识中的控件使您可以轻松地从一个周期遍历到另一个周期。

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电源测量与分析

开关损耗测量与分析

随着对提高功率效率和延长电池供电设备工作时间的需求，工程师们正在从传统的硅转向SiC和GaN进行设计。分析功率损耗和优化电源效率的能力比以往任何时候都更加重要。影响效率的关键因素之一是开关器件的损耗。例如，一个典型的开关模式电源的效率约为87%，这意味着13%的输入功率在电源中消散，主要是作为废热。在这种损耗中，很大一部分在开关器件中耗散，通常是mosfet或igbt。泰克通过5系列和6系列MSO示波器和自动功率分析软件轻松实现开关损耗测量。

自动开关损耗测量。

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用示波器测量电源开关损耗

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