双脉冲测试

测量开关参数的标准方法

最小化开关损耗仍然是SiC和GaN器件的功率器件工程师面临的主要挑战。测量开关参数和评估Si、SiC和GaN mosfet和igbt动态行为的标准测试方法是双脉冲测试(DPT)。双脉冲测试可用于测量器件导通和关断过程中的能量损失，以及反向恢复参数。

双脉冲试验及其益处

双脉冲测试的基本原理

双脉冲测试是在两台设备上进行的。一个设备是被测设备(DUT)，第二个设备通常是与被测设备相同类型的设备。注意“高”侧器件上的感应负载。电感器用于复制转换器设计中可能存在的电路条件。使用的仪器是一个电源或SMU提供电压，一个任意函数发生器(AFG)输出脉冲，触发MOSFET的栅极，使其打开以启动电流传导，以及一个示波器测量产生的波形。

双脉冲测试电路。

了解详情：

用示波器和任意函数发生器对功率半导体器件进行双脉冲测试

如何为双脉冲测试生成门驱动信号

生成栅极驱动信号以执行双脉冲测试的最简单方法是使用任意波形发生器(AFG)。AFG可用于产生栅极驱动信号以执行双脉冲测试。泰克AFG31000具有内置的双脉冲测试应用程序，可创建具有不同脉冲宽度的脉冲。

用于进行双脉冲试验的设备。

如何测量开关时间和能量损失

示波器是捕获双脉冲波形的好工具，因此您可以获得设备的开启和关闭时间参数。使用泰克4/5/6系列B MSO和宽带隙双脉冲测试应用软件(Opt. WBG-DPT)，捕获参数所需的一切都在您的指尖。WBG-DPT选项根据JEDEC和IEC标准提供自动开关，定时和二极管反向恢复测量。

双脉冲测试电路。

了解详情：

4/5/5 5b /6B系列MSO选项4-WBG-DPT/5-WBG-DPT/6-WBG-DPT应用数据表

反向恢复

二极管的反向恢复时间是衡量二极管开关速度的一个指标，因此影响着变换器设计中的开关损耗。反向恢复电流发生在第二个脉冲的导通期间。如图所示，二极管在相位2时处于正向导通状态。当低侧MOSFET再次导通时，二极管应立即切换到反向阻塞状态;然而，二极管将在反向条件下导通一段短时间，这被称为反向恢复电流。这种反向恢复电流转化为能量损失，直接影响功率变换器的效率。

双脉冲测试电路。

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