SP26系列半导体参数分析仪

  开发和使用MOSFET、IGBT、二极管和其他大功率器件，需要全面的器件级检定，如击穿电压、通态电流和电容测量。

宽禁带半导体材料研究

WBG 材料是提高 SiC 和 GaN 性能以加快开关速度、提高功率密度、进行高温操作、确保可靠性以及优化尺寸和成本的持续挑战的核心。

检定宽禁带设备

要了解 SiC 或 GaN 设备的基本特性和电气性能，需要精确的电压和电流测量。

双脉冲测试

双脉冲测试是用于测量 MOSFET 和 IGBT 功率设备的开关参数的标准方法。在以前，设置双脉冲测试非常耗时，因为函数发生器没有内置的方式来配置和设置测试。

验证宽禁带设备

设计新的 SiC 和 GaN 设备时，需要在设计和生产阶段进行大量测试，以便推动工艺改进、提高产量和降低成本。与传统硅相比，测试 WBG 功率设备需要更好的分辨率、更高的功率和更快的速度。